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產品資訊

新品 | 研華PCIe Gen5 x4 SSD EDSFF解決方案為邊緣服務器應用加速

發(fā)布時間:2025-04-18瀏覽次數:
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研華科技,全球知名工業(yè)存儲解決方案供應商,推出了 SQFlash EDSFF 和 EU-2 PCIe Gen5 x4 SSD,旨在滿足下一代企業(yè)和數據中心應用的需求。

 

截至 2024 年,PCIe Gen4 解決方案占據了 50% 的市場份額,而 PCIe Gen5 產品正在多種應用中迅速普及。在 PCIe 存儲產品中,U.2、E3.S 和 E1.S 等外形規(guī)格正推動市場增長。

 

基于 EDSFF 標準的 SQFlash E1.S SSD,連續(xù)讀寫速度分別高達 14,000 MB/s 和 8,500 MB/s,具備可擴展性高效能功耗優(yōu)化等出色性能。

 

與此同時,SQFlash EU-2 PCIe Gen5 x4 SSD采用前沿的 PCIe 5.0 技術,在速度、可靠性和散熱管理方面有新突破,是數據中心企業(yè)計算實時分析和 AI 計算等應用中的理想選擇。

 

這些新解決方案展現了研華對推進高性能存儲技術用于現代計算環(huán)境的承諾。

 

高速讀寫性能

EDSFF SQFlash EU-2 U.2 & E3.S SSD是新一代高性能存儲解決方案,旨在滿足超大規(guī)模企業(yè)數據密集型應用的需求。

 

E1.S 外形規(guī)格比傳統(tǒng) M.2 SSD更具靈活性,功耗預算更高。M.2 SSD通常支持高達 12W,而 E1.S 支持高達 20W,能夠充分利用 PCIe 4.0(16 GT/s x4)、PCIe 5.0(32 GT/s x4)甚至 PCIe 6.0(64 GT/s x4)帶寬,具體取決于驅動器容量。這種增強的功耗能力和性能使 E1.S 成為需要強大可擴展性和高性能的超大規(guī)模和企業(yè)環(huán)境的理想選擇。

 

SQFlash EU-2 U.2 和 E3.S SSD利用 PCIe Gen5 x4 接口,提供出色性能,順序讀取速度高達 14,000 MB/s,寫入速度高達 8,500 MB/s,是 Gen4 SSD速度的兩倍

 

基于最新的 NVMe 2.0 協(xié)議,這些SSD充分優(yōu)化了 PCIe Gen5 帶寬,確保與主機系統(tǒng)的高效高速通信。這減少了延遲,加快了數據傳輸速度,提高了系統(tǒng)的整體響應能力。

 

這些先進的存儲解決方案為速度、可擴展性和功耗效率設定了新的基準,滿足現代計算環(huán)境的嚴格需求。

 

支持熱插拔

與傳統(tǒng)的 M.2 SSD不同,后者需要關閉整個服務器并從機架中取出才能更換,EDSFF(E1.S & E3.S)SSD支持從服務器正面直接熱插拔,無需完全關機。這一特性顯著增強了可維護性,并在維護期間節(jié)省了寶貴的時間。

 

更高容量

SQFlash EU-2 SSD EDSFF 外形規(guī)格展示了存儲設計的進步,提供了高效能的高容量,以滿足現代數據中心和企業(yè)應用的需求。

 

E1.S 外形規(guī)格旨在最大化閃存內存的空間利用率,從而實現更高容量的SSD。其尺寸為寬 33.75 mm x長 118.75 mm,比標準 M.2 SSD(寬 22 mm,x長 110 mm)更大。這種增加的尺寸使 E1.S 能夠容納更多的閃存芯片,這些芯片可以垂直排列在 1U 機箱內,提供更高的存儲密度和可擴展性。

 

SQFlash EU-2 SSD專為高效能而設計,在空閑模式下功耗不到 9W,同時保持高性能。它具有先進的電源管理功能,包括低功耗狀態(tài)和動態(tài)功耗調節(jié),這些功能會根據工作負載需求調整能源使用。這種高效能使得 SQFlash EU-2 成為大規(guī)模數據中心和其他減少功耗至關重要的環(huán)境的理想解決方案。

 

這些進步在性能、容量和高效能之間取得了平衡,為高需求應用設定了存儲解決方案的新基準。

 

該系統(tǒng)支持 NVMe 2.0 單端口操作,提供高兼容性和易于與現有系統(tǒng)集成。企業(yè)功能如命名空間和保留增強了數據管理和安全性,使多個用戶能夠安全高效地訪問和管理數據。元數據保護確保了數據完整性和安全性,這對于處理敏感信息的企業(yè)應用至關重要。

 

SQFlash EU-2 系列(U.2、E3.S & E1.S)中的每個產品都支持熱插拔機制,有效降低了系統(tǒng)停機成本

 

關鍵特性

 
01
 

支持熱插拔:無需關閉整個服務器即可更換SSD;

02
 
功耗預算增強:為 M.2 設備提供額外的功耗,確保完整的 PCIe 性能,讀取速度高達 14,000 MB/s,寫入速度高達 8,600 MB/s;
03
 
PLP斷電保護:采用超級電容器保護數據,在斷電時將數據從 DRAM 轉移到 NAND 閃存。

 

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內容創(chuàng)作:通過快速訪問大型文件和減少渲染時間,加速視頻編輯、圖形設計和其他創(chuàng)意應用的工作流程。

 

數據分析:提供實時數據處理和分析所需的速度和容量,支持高級分析和機器學習應用。

 

企業(yè)存儲:為企業(yè)級應用提供強大可靠的存儲解決方案,確保關鍵任務操作的高可用性和數據完整性。

 

研華930L Gen4 x4 E1.S 和 EU-2 Gen5 x4 U.2、E1.S、E3.S 解決方案將從 2025 年 1 月開始上市。

如果您對相關方案感興趣,歡迎撥打 研控興業(yè)服務專線

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